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National Nanotechnology Policy Center

정책연구보고서

정책센터 나노 임프린트 리소그래피

페이지 정보

발행기관
LG전자기술원 / 한국과학기술정보연구원
저자
이성은 / 최붕기
발행일
2002-12-28
조회
4,034
원문

본문

나노기술을 가능하게 하는 것은 결국 나노 제작(nanofabrication) 기술이다. 하향식(top-down) 접근 방식의 나노 제작 기술은, 기존의 반도체 소자 제조 공정에 사용되고 있는 리소그래피 기술을 더욱 발전시켜 나노미터 영역까지 연장하는 기술을 지칭한다. 정보 기술 혁명으로 일컬어지는 20세기의 기술 발전은, 반도체 소자의 소형화 및 집적화에 크게 의존해 왔다. 반도체 소자의 미세화의 진전에 의해, 고속 동작화, 저소비전력화, 그리고 시스템 LSI로 불려지는 기능의 통합화가 한층 가속화되고 있다. 이러한 반도체소자 제조 공정의 핵심 기술인 리소그래피 기술은 미세화가 진행됨에 따라, 그 장비 자체의 가격이 급격히 증가하고 있다. 나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint lithography, NIL)는 1990년 대 중반 미국 프린스턴 대학교의 Stephen Y. Chou 교수에 의해 도입된 나노 제작 방법으로, 낮은 생산성을 갖는 전자빔 리소그래피를 보완할 기술로 주목받고 있다. NIL 기술은 컴팩 디스크(CD)와 같은 마이크로 스케일의 패턴을 갖는 고분자 소재 제품의 대량 생산에 사용되는 엠보싱/몰딩 기술을 리소그래피에 적용한 것이다. 본고에서는 나노임프린트 리소그래피의 기술동향을 파악하고자 스탬프제작기술, 장비관련기술, 재료개발, 응용기술개발, 공정기술개발 등에 대하여 고찰하였다.