나노재료 나노벨트, 나노스프링
페이지 정보
- 용어
- 나노벨트, 나노스프링
- 요약
- 입자의 크기가 1-100 nm인 넓은 표면적을 가진 입자
- 참고문헌
- - 이종수, 박광수, 성만영, 김상식, “Ga₂O₃ 나노벨트의 성장기구”, 대한전기학회논문지:전기물성.응용부문C, 51(9), pp 408-412 (2002)
- 김병철, 선규태, 박광수, 임기주, 노태용, 남산, 성만영, 김상식, “기계적으로 연마한 GaN 분말로부터 열처리 분위기를 달리한 β-Ga₂O₃ 나노벨트 및 나노입자의 합성”, 한국전기전자재료학회논문지, 14(12), pp 965-971 (2001) - 분류
- 나노재료 > 나노입자
본문
반도체 나노벨트라고도 한다. 값비싼 초소형 센서나 평판 디스플레이 등의 부품으로 이용할 수 있는 나노미터 크기의 전자 및 광전자 장치를 말한다. 탄소나노튜브나 나노와이어(Nanowire)의 기능을 능가하며, 전자 또는 광전자 응용 분야에서 주로 이용되는데, 나노 크기의 센서나 고감도 저에너지 소비 시스템에 대한 중대한 기술 진보를 이루어낼 수 있다는 점에서 중요한 기술로 평가받는다.
2001년 미국에서 반도체 금속 산화물로 이루어진 나노벨트가 처음으로 만들어졌는데, 이 나노벨트는 아연·주석·인듐·카드뮴·갈륨 등의 금속 산화물로 제조되었다. 이들은 모두 반도체 특성을 가진 물질로, 각각의 산화물의 결정학적 구조는 많은 차이가 있지만, 공통적으로 좁은 사각형 단면을 가진 리본 형태를 취한다. 기존의 탄소나노튜브 보다 강도는 강하지 않지만, 고순도 무결점 단일구조의 전자 및 광전자를 대량생산할 수 있고, 나노구조의 제어도 가능하다는 장점이 있다.
반면, 나노구조를 통과하는 전류에 의해 가열될 수 있어 고밀도 소형 장치로 통합할 경우 문제가 발생할 수 있으며, 나노전선 형태의 구조인 퀀텀을 파괴함으로써 장치의 고장을 유발할 수 있다. 그럼에도 산화 나노벨트는 산화아연 및 산화주석 나노벨트 극소형 센서의 기반이 될 수 있고, 응용분야 또한 다양해 나노기술 분야 가운데서도 중요한 분야로 평가받고 있다.