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기타 | [기타/R&D]질소 원자로 새로운 반도체 제조법 개발

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발행기관
Nanowerk News
주제분류
 
발행일
2018-11-30
조회
12

본문

싱가포르 A*STAR 연구팀이 n형 반도체 소재인 황화텅스텐 단일층 또는 수 층에 고반응성 질소 원자를 사용하여 p형을 도핑하는 기술을 개발함. 이 기술은 기존의 이온주입법이나 플라즈마주입법과 달리 구조적인 손상 없이 효과적인 p형 도핑이 가능함. 질소 원자의 높은 화학적 활성과 낮은 운동 에너지로 인해 수 층 깊이의 황 원자와 교체되어 텅스텐-질소 결합을 형성함. 이 기술은 원자 수준에서 도핑제를 제어하는 이상적인 방법이 될 것으로 기대됨. 본 연구 성과는 ‘ACS Nano’ 지에 게재됨

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