서강대-성균관대 공동 연구팀, 퀀텀닷 반도체 합성 기술 개발
페이지 정보
- 발행기관
- 뉴시스
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노소재
- 발행일
- 2023-11-13
- 조회
- 15
본문
● 강문성 교수(서강대) 및 정소희 교수, 박지상 교수(성균관대) 공동 연구팀은 반도체에 이종원소를 도입하는 도핑 기술을 통해 퀀텀닷 반도체 극성을 제어할 수 있는 기술을 개발
● 연구팀이 개발한 도핑 기술로 합성된 p형 소재는 지금까지 보고된 p형 InAs 퀀텀닷 반도체 중 가장 우수한 전기적 특성을 보였으며, 연구팀은 p형과 n형 전기적 특성을 갖는 퀀텀닷 반도체를 사용해 논리 소자를 제작하는 데 성공
● 해당 InAs 퀀텀닷 반도체는 산업계에서 많은 관심을 갖고 있는 소재인 만큼, 차세대 고성능 적외선 장치 개발에 기여할 수 있을 것으로 기대
Science Advances (2023.11.10.), P- and N-type InAs nanocrystals with innately controlled semiconductor polarity
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