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'무어의 법칙' 한계 돌파할 반도체 핵심 소재 기술 개발

페이지 정보

발행기관
울산과학기술원(UNIST)
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노공정·측정·정비
발행일
2022-06-02
조회
55

본문

● 울산과학기술원 신혁선 교수, 영국 University of Cambridge 공동연구팀이 차세대 고집적 반도체에 들어갈 2차원 절연체 소재 합성 기술을 개발

● 고집적 반도체 칩의 전류누설과 발열과 같은 한계를 해결하기 위해 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴으로 바꾸는 기술이 대안으로 꼽히고 있지만, 이 기술을 완성하기 위해서는 칩 성능을 떨어뜨리는 전하 트랩과 전하 산란을 막을 2차원 절연체 소재 또한 필요

● 이에 연구팀은 2차원 소재 중 유일한 절연체인 질화붕소를 원자 세 층 두께의 단결정 형태로 합성할 수 있는 기술을 세계 최초로 개발하였으며, 원료의 농도를 미세하게 조절하는 합성방식으로 육방정계 질화붕소를 궁극적인 합성 목표인 단결정 다층 박막 형태로 합성

● 또한, 연구팀은 육방정계 질화붕소가 단결정 형태로 합성될 수 있었던 원인도 밝혀냈으며, 분석 결과, 질화붕소 합성 과정에서 사용한 니켈 기판의 표면 특성 때문에 육방정계 질화붕소가 단결정 형태로 합성될 수 있었던 것을 확인

 

Nature 게재(2022.06.01.), “Epitaxial single­crystal hexagonal boron nitride multi­layers on Ni (111)

과학기술정보통신부, 한국연구재단(리더연구사업, 기초연구실사업, 미래기술연구실사업, 세종과학펠로우십), 기초과학연구원 지원

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