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POSTECH, 페로브스카이트 박막의 전기전도도 향상 방안 개발

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발행기관
뉴데일리
저자
 
종류
R&D
발행일
2021-08-31
조회
17

본문

● 포항공과대학교(POSTECH) 손준우 교수 연구팀은 페로브스카이트 격자구조 내에서 주석 금속을 ‘선택적으로 석출’하는 방법을 이용해 산소가 결핍된 페로브스카이트 주석 산화물 박막의 전기전도도를 향상할 전략을 제시

● 반도체 내에서 전기를 통하게 하는 방법인 환원 열처리는 전자 농도를 일관되게 제어하지 못해 전기전도도를 극대화하지 못하는 한계 

● 연구팀은 페로브스카이트 주석 산화물 박막의 환원 열처리 후 전기전도도를 극대화할 수 있도록 양이온 반응물의 조성비를 인위적으로 제어했고, 고온 환원 공정 후에 전자 농도를 관찰한 결과, 주석(Sn)이 과주입된 BaSnO3 박막에서 전자 농도가 높이 증가하는 것을 확인

● 해당 연구는 선택적인 금속 석출 현상을 이용함으로써 페로브스카이트 산화물 반도체 내에서 투명도를 저해하지 않으면서도 전기전도도를 증가시키는 새로운 방법을 제시 

● 연구팀이 개발한 전자 도핑 원리는 주석 산화물 반도체의 기능을 크게 개선함으로써 차세대 투명 반도체 소자, UV 검출기 소자, 자동차용 전력 반도체 소자로 응용 가능 


※ Advanced Functional Materials 게재

※ 과학기술정보통신부 (기초연구실, 중견연구사업), 삼성전자 (DS 전략산학과제) 지원

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