나노전자 양자우물
페이지 정보
- 용어
- 양자우물
- 요약
- 우물모양으로 전자의 양자역학적 에너지준위가 주위보다 낮은 구조
- 참고문헌
- - F. Capasso and G. Margaritondo, eds., Heterojunction Band Discontinuities, Physics and Device Applications,'' North-Holland, Amsterdam (1987)
- H. C. Casey, Jr., and M.B. Panish, ``Heterostructure Lasers, Part B: Materials and Operating Characteristics - 분류
- 나노전자 > 나노구조
본문
양자우물(Quantum Wells)은 나노크기의 2차원적 평판 초미세구조로 전자의 움직임이 2차원의 우물에 속박되어 있고, 이때 전자의 파장이 구속포텐셜의 크기와 상응하여 전자의 에너지준위가 양자화되는 구조이다. 이 에너지 양자화 효과는 같은 물질에서 전기적 특성과 광특성을 향상시키는 결과를 준다. 양자우물 구조는 통상 밴드갭(band-gap)이 큰 반도체(potential barrier, 장벽) 사이에 그 보다 밴드갭(band-gap)이 작은 다른 종류의 반도체(potential well, 우물)가 들어가 있는 형태의 구조로서 우물의 두께에 따라 양자구속효과(quantum confinement effect)에 의한 천이 에너지(transition energy)를 조절할 수 있고, 우물과 장벽 물질 사이의 격자상수 차이에 따른 strain에 의하여 축퇴되어 있던 heavy-hole과 light-hole이 분리되면서 천이 에너지가 변하게 된다. 양자우물 구조는 laser diode의 active layer로 이용되는 등 여러 광소자에 다양하게 응용되고 있다.
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